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Herstellungsverfahren für GaN-Substrate

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Herstellungsverfahren für GaN-Substrate

Neues Herstellungsverfahren für GaN-Substrate      


 

ID S1102-20: Geboten wird eine Technologie, mit der es möglich ist, Galliumnitrid (GaN) Substrate für die Herstellung von elektronischen und optoelektronischen Bauteilen bei wesentlich geringeren Temperaturen als bisher herzustellen. (exemplarische Darstellung).

 

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Gesucht wird ein anorganisches, phosphoreszierendes Pigment mit Phosphreszenzlebensdauern im Stundenbereich, das sich auf unterschiedlichen Substraten für den Innen- und Aussenbereich applizieren lässt. 15 bis 20 Jahre Lebensdauer sind wünschenswert.